ULVAC-PHI公司推出的PHI GENESIS是一款自動多功能掃描x射線光電子光譜儀（XPS：x射線光電子光譜或ESCA：化學分析電子光譜）。?為用戶提供了一種全新的體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。
1.易操作式多功能選配附件
簡單易操作：PHI GENESIS 提供了一種全新的用戶體驗，儀器高性能、全自動化、簡單易操作。 操作界面可在同一個屏幕內設置常規和高級的多功能測試參數，同時保留諸如進樣照片導航和 SXI 二次電子影 像精準定位等功能。
簡單友好的用戶界面：PHI GENESIS 提供了 一個簡單、直觀且易于操作的用戶界面， 對于操作人員非常友 好，操作人員執行簡單的設置操作即可完成包括所有選配附件 在內的自動化分析。
多功能選配附件：原位的多功能自動化分析，涵蓋了從 LEIPS 測試導帶到 HAXPES 芯能級激發 的全范圍技術，相比于傳統的 XPS 而言， PHI GENESIS 體現了前所未有的性能價 值。
全面的優良解決方案 ：高性能 XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他 選配附件可以滿足所有表面分析需求。
2.全自動樣品傳送停放
3.高性能大面積和微區 XPS 分析
多數量樣品大面積分析
- 多數量樣品大面積分析 - 把制備好樣品的樣品托放進進樣腔室后將自動傳送進分析腔室內
- 可同時使用三個樣品托
- 80mm×80mm 的大樣品托可放置多數量樣品
- 可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品
獨一無二的可聚焦≤ 5μm 的微區 X 射線束斑：在 PHI GENESIS中，聚焦掃描 X 射線源可以激發二次電子影像（SXI），利用 二次電子影像可以進行導航、精準零誤 差定位、多點多區域同時分析測試以及深度剖析。
大幅提升的二次電子影像 （SXI）：二次電子影像（SXI）精準零誤差定 位，保證了所見即所得。 卓越的 5μmX 射線束斑為微區 XPS 分析應用提供了新的機遇。
4.快速精準深度剖析
PHI GENESIS 可實現高性能的深度剖析。聚焦 X 射線源、高靈敏度探測器、高性能氬離子槍和高效雙束中和系 統可實現全自動深度剖析，包括在同一個濺射刻蝕坑內進行多點同時分析。
高性能的深度剖析能力：( 下圖左 ) 全固態電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在 2.0 μm 以下富 Li 界面的存在。 ( 下圖右 ) 在 LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從 LiCoO2 層轉移到 LiPON 層中，使 Co 在 LiCoO2 層富 Li 界面由 氧化態還原為金屬態。
角分辨 XPS 分析：PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區分析和高度可重 現的中和性能確保了對樣品角分辨分析的卓越性 能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉相結合，可同時實 現角度的高分辨率和能量的高分辨率。
無需濺射刻蝕的深度探索：下一代透明發光材料使用直徑約為 10nm~50nm 的 納米量子點（QDs），結合使用 XPS（Al Kα X 射線） 和 HAXPES（Cr Kα X 射線）對同一微觀特征區域進 行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。 XPS 和 HAXPES 的結合使用，可以對納米顆粒進行 深度分辨、定量和化學態分析，從而避免離子束濺 射引起的損傷。
深層界面的分析：在兩種 x 射線源中，只有 Cr Ka XPS 能探測到 Y2O 3 下方距離表面 14nm 處的 Cr 層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態。另外，通過比較，光電子起飛角 90°和 30°的 Cr Kα 譜圖結果發現在較淺 ( 表面靈敏度更高 ) 的起飛角時，氧化物的強度 較高，表明 Cr 氧化物處于 Y2O 3 和 Cr 層之間的界面。
內核電子的探測：Cr Kα 提供了額外的 Al Kα 不能獲取的內核電子。 基于 Cr Kα 的高能光電子，通常有多個額外的 躍遷可用于分析。
5.為電池、半導體、有機器件以及其他各領域提供全面解決方案
主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材 料及器件領域。 用于全固態電池、半導體、光伏、催化劑等領域的先進功能材料都是復雜的多組分材料，其研發依賴于化學結 構到性能的不斷優化。ULVAC-PHI, Inc. 提供的全新表面分析儀器 “PHI GENESIS” 全自動多功能掃描聚焦 X射線光電子能譜儀，具有卓越性能、高自動化和靈活的擴展能力，可以滿足客戶的所有分析需求。
PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領域的應用：
電池 ：“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學成像” Li 基材料例如 LiPON，對電子束輻照敏感。 PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取 AES 化學成像。
有機器件：使用 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 測量能帶結構 （1）C 60 薄膜表面 （2）C 60 薄膜表面清潔后 （3）C 60 薄膜 /Au 界面 （4）Au 表面 通過 UPS/LEIPS 分析和 Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。
半導體：半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成，它們的研發通常需要對界面處的化學態進行無損分 析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的 GaN，使用 HAXPES 是非常有必要的。
微電子：微小焊錫點分析 HAXPES 分析數據顯示金屬態 Sn 的含量 高于 XPS 分析數據，這是由于 Sn 球表 面被氧化，隨著深度的加深，金屬態 Sn 的含量越高，正好符合 HAXPES 分析深 度比 XPS 深的特點。
多功能選配附件
UPS 紫外光電子能譜、LEIPS低能反光電子能譜、AES/SAM 俄歇電 子能譜、REELS 反射式能量損失譜、雙陽 極 X 射線源（Mg/Zr、Mg/Al）、Ar-GCIB 氬團簇離子源、Ar-GCIB 簇大小測量工具、C60 源子離簇團 （ VK02 樣、） 品加熱冷卻模塊、4 電觸點加熱冷卻模塊、樣品保護傳送模塊、SPS 樣品定位系統等等。
